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2SC2734 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC2734
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内容描述: NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 91 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SC2734
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极饱和电压
直流电流传输比
增益带宽积
集电极输出电容
转换增益
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
CG
20
11
3
20
1.4
典型值
90
3.5
0.9
15
最大
0.5
0.7
200
1.5
单位
V
V
V
µA
V
GHz的
pF
dB
测试条件
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
I
C
= 10 mA时,我
B
= 5毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 5毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 10毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CC
= 6 V,I
C
= 2毫安,
F = 900兆赫,
f
OSC
= 930兆赫(为0dBm )
f
OUT
= 30 MHz的
V
CC
= 6 V,I
C
= 2毫安,
F = 900兆赫,
f
OSC
= 930兆赫(为0dBm )
f
OUT
= 30 MHz的
V
CC
= 6 V,I
C
= 5毫安,
F = 930 MHz的
噪声系数
NF
9
dB
振荡输出电压
V
OSC
140
mV
Rev.2.00 2005年8月10日第2 7