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2SC1921 参数 Datasheet PDF下载

2SC1921图片预览
型号: 2SC1921
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内容描述: 硅NPN三重扩散 [Silicon NPN Triple Diffused]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 161 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SC1921
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
COB
250
200
5
30
60
典型值
130
3
最大
1.0
300
1.0
4
单位
V
V
V
µA
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CE
= 120 V ,R
BE
=
V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
V
CB
= 6 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
Rev.2.00 2005年8月10日第2页5