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    2SB1079 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1079图片预览
    型号： 2SB1079
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅三重扩散 [Silicon PNP Triple Diffused]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 146 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SB1079的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1079的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1079的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB1079的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB1079的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SB1079的Datasheet PDF文件第7页  
    2SB1079
    最大集电极耗散
    曲线
    120
    集电极耗散功率P
    C
    (W)
    –100
    –30
    –10
    –3
    –1.0
    –0.3
    –0.1
    –3
    TA = 25°C
    1次脉冲
    i
    C（峰值）
    I
    C（最大值）
    D
    1
    µs
    C
    安全工作区
    集电极电流I
    C
    (A)
    100
    µs
    T
    C
    80
    =2
    5
    °
    C
    PW
    =1
    1m
    s
    s
    0m
    40
    0
    50
    100
    案例温度T
    C
    (°C)
    150
    –10
    –30
    –100
    –300
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    典型的输出特性
    –20
    直流电流传输比H
    FE
    –3.5
    –3
    –4
    –2.5
    –2
    直流电流传输比主场迎战
    集电极电流
    30000
    10000
    3000
    1000
    300
    100
    30
    –0.3
    V
    CE
    = –3 V
    脉冲
    集电极电流I
    C
    (A)
    –16
    –1.5
    5
    °
    C
    =7 C
    TA 25
    °
    °
    C
    –25
    –12
    –1
    –8
    I
    B
    = -0.5毫安
    –4
    T
    C
    = 25°C
    0
    –2
    –1
    –3
    –4
    –5
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    –1.0
    –3
    –10
    集电极电流I
    C
    (A)
    –30

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