2SA844 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA844
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内容描述：	PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 156 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SA844

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

集电极基极击穿电压

（ BR ） CBO

集电极到发射极击穿电压

（ BR ） CEO

发射极基极击穿电压

（ BR ） EBO

收藏家Cuto FF电流

CBO

发射Cuto FF电流

EBO

直流电流传输比

集电极到发射极饱和电压

CE （ SAT ）

基地发射极电压

增益带宽积

集电极输出电容

COB

注： 1， 2SA844为h分组

如下。

160到320

250至500

民

–55

–5

—

160

—

典型值

—

–0.1

–0.66

200

2.0

最大

—

–100

–50

500

–0.5

–0.75

—

单位

兆赫

测试条件

= –10

µA,

= 0

= -1毫安，R

∞

= –10

µA,

= 0

= -18 V，I

= 0

= -2 V，I

= 0

= -12 V，I

= -2毫安

= -10毫安，我

= -1毫安

= -12 V，I

= -2毫安

= -12 V，I

= -2毫安

= -10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

Rev.2.00 2005年8月10日第2页4

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