数据表
硅功率晶体管
2SA1741
PNP硅外延晶体管
对于高速切换
该2SA1741是用于高速开发的功率晶体管
开关，并配有高ħ
FE
低V
CE （ SAT ）
。此晶体管是
非常适合用作在直流/直流转换器和致动器的驱动。
另外，一个小的树脂模制绝缘型包
有利于高密度安装，并降低安装的
成本。
封装图（单位：mm ）
特点
•高ħ
FE
低V
CE （ SAT ）
:
h
FE
≥
100 (V
CE
=
−2
V，I
C
=
−1
A)
V
CE （ SAT ）
≤
0.3 V（I
C
=
−3
A，I
B
=
−0.15
A)
•全模制封装，不需要绝缘板或
安装时，衬套。
电极连接
1.基地
2.收集
3.辐射源
.
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
（ TC = 25 ° C）
P
T
（ TA = 25°C ）
T
j
T
英镑
评级
−100
−60
−7.0
−5.0
−10
−2.5
25
2.0
150
−55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
* PW
≤
300
µ
S，占空比
≤
50%
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16125EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年4月ñ CP （ K）
日本印刷
©
2002
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
