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2SA1190 参数 Datasheet PDF下载

2SA1190图片预览
型号: 2SA1190
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 180 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SA1190
发射极截止电流 -
发射器基极电压
–1,000
集电极到发射极击穿电压 -
基极 - 射极电阻
集电极到发射极击穿电压
V
( BR ) CER
(V)
–190
典型的价值
I
C
= -1毫安
发射极截止电流I
EBO
( PA )
I
C
= 0
TA = 75℃
–100
–180
–170
–10
25
–1.0
–25
–160
–150
–0.1
0
–2
–4
–6
–8
–10
–140
10
100
1k
10 k
100 k
发射器基极电压V
EB
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
1,000
基极 - 射极电阻R
BE
(Ω)
集电极到发射极饱和电压与
集电极电流
–1.0
I
C
= 10 I
B
脉冲
–0.3
直流电流传输比H
FE
TA = 75℃
300
–25
25
100
–0.1
TA = 75℃
–25
30
V
CE
= –12 V
脉冲
–0.03
25
10
–1
–3
–10
–30
–100
–0.01
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(MA )
基地发射极饱和电压与
集电极电流
I
C
= 10 I
B
脉冲
–3
集电极电流I
C
(MA )
增益带宽积主场迎战
集电极电流
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
1,000
V
CE
= –6 V
基地发射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
–10
500
200
100
50
–1.0
25
TA = -25°C
75
–0.3
20
10
–0.5 –1.0
–0.1
–1
–3
–10
–30
–100
–2
–5
–10 –20
–50
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
Rev.2.00 2005年8月10日第4 6