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2SA1122 参数 Datasheet PDF下载

2SA1122图片预览
型号: 2SA1122
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用: 光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 158 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SA1122
主要特点
最大集电极耗散曲线
典型的输出特性
–10
–30
–25
–20
集电极耗散功率PC(毫瓦)
150
集电极电流I
C
(MA )
–8
100
–6
–15
–4
50
–10
–5
µA
I
B
= 0
–2
0
50
100
150
0
–2
–4
–6
–8
–10
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
10,000
典型的传输特性
–100 m
-50米V
CE
= –12 V
直流电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(A)
–20 m
–10 m
–5 m
–2 m
–1 m
–500
µ
–200
µ
–100
µ
–50
µ
–20
µ
–10
µ
V
CE
= –12 V
1,000
100
0 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0
10
–10
µ
–100
µ
–1 m
–10 m
–50 m
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极电流I
C
(A)
集电极输出电容C
ob
(PF )
50
F = 1 MHz的
I
E
= 0
20
10
5
2
1
–1
–2
–5
–10
–20
–50
集电极基极电压V
CB
(V)
Rev.2.00 2005年8月10日第3页4