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2SA1029BTZ 参数 Datasheet PDF下载

2SA1029BTZ图片预览
型号: 2SA1029BTZ
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 161 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SA1029 , 2SA1030
主要特点
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
( mW)的
300
–5
典型的输出特性( 1)
集电极电流I
C
(MA )
–25
–4
–20
–3
–2
–15
–10
–5
µA
I
B
= 0
200
100
–1
0
50
100
150
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
环境温度Ta (C )
集电极发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性( 2)
–5
–25
–5
典型的传输特性
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
–4
–20
–15
–4
V
CE
= –12 V
–2
–10
–5
µA
I
B
= 0
–2
–1
–1
0
–5
–10
–15
–20
–25
0
–0.2
–0.4
–0.6
25
–3
–3
TA = 75
°C
–0.8
–1.0
集电极发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
500
500
400
基极至发射极电压V
BE
(V)
增益带宽积主场迎战
集电极电流
直流电流传输比H
FE
400
V
CE
= –12 V
V
CE
= –12 V
300
200
300
200
100
100
0
–0.5
0
–0.01
–0.1
–1.0
–10
–100
–1.0
–2
–5
–10
–20
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
Rev.3.00 2005年8月10日第3页5