1SS286 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1SS286
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内容描述：	硅肖特基二极管适用于各种探测器，高速开关 [Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching]
分类和应用：	肖特基二极管微波混频二极管开关
文件页数/大小：	5 页 / 65 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

1SS286

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

反向电压

正向电流

功耗

结温

储存温度

TSTG

符号

价值

150

100

−55

+100

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

正向电压

反向电压

反向电流

电容

电容偏差

正向电压偏差

防静电能力

符号

∆C

∆V

—

民

—

典型值

—

最大

0.60

—

1.20

0.10

—

单位

测试条件

= 10毫安

= 10

µA

= 10 V

= 0 V ， F = 1兆赫

= 10毫安

C = 200 pF的， R = 0

Ω

，两个前锋

和反向1脉冲。

注：1。破坏准则;我

≥

20 nA的在V

= 10 V

2.各组统一规定的4二极管的倍数

3.不适用于录音型产品。

REJ03G0142-0300 Rev.3.00 2007年5月24日

第2页4

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