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    3SK298 参数 Datasheet PDF下载

    3SK298图片预览
    型号： 3SK298
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    内容描述： 硅N沟道双栅MOS FET [Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
    文件页数/大小： 9 页 / 191 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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    3SK298
    Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
    REJ03G0817-0300
    (Previous ADE-208-390A)
    Rev.3.00
    Aug.10.2005
    Application
    UHF / VHF RF amplifier
    Features
    •
    Low noise figure.
    NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz
    •
    Capable of low voltage operation
    Outline
    RENESAS Package code: PTSP0004ZA-A
    (Package name: CMPAK–4)
    2
    3
    4
    1
    1. Source
    2. Gate1
    3. Gate2
    4. Drain
    Note:
    Marking is “ZP–“
    Attention:
    This device is very sensitive to electro static discharge.
    It is recommended to adopt appropriate cautions when handling this transistor.
    Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 8

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