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2SK2956 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK2956
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 7 页 / 81 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2956
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Reverse Drain Current I
DR
(A)
50
40
10 V
5V
V
GS
= 0, –5 V
30
20
10
Pulse Test
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage
V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
s (t)
3
Tc = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
ch – c(t) =
γ
s (t)
• θ
ch – c
θ
ch – c = 3.57°C/W, Tc = 25°C
PDM
PW
T
D=
0.03
0.01
10
µ
0.02
1
lse
0.0
pu
t
ho
1s
PW
T
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T.
R
L
V
DD
= 10 V
Vout
Monitor
PW (S)
Waveform
90%
10%
10%
10%
Vin
Vout
Vin
10 V
50
90%
td(on)
90%
td(off)
tf
tr
Rev.4.01 Apr 27, 2006 page 5 of 6