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2SK2736 参数 Datasheet PDF下载

2SK2736图片预览
型号: 2SK2736
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 7 页 / 88 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2736
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Reverse Drain Current I
DR
(A)
50
40
10 V
30
5V
V
GS
= 0, –5 V
20
10
Pulse Test
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage
V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
s (t)
3
Tc = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
ch – c(t) =
γ
s (t) •
θ
ch – c
θ
ch – c = 5.0°C/W, Tc = 25°C
PDM
PW
T
D=
0.03
0.01
10
µ
0.02
e
1
uls
0.0
tp
ho
1s
PW
T
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width
Switching Time Test Circuit
PW (S)
Waveform
90%
Vin Monitor
D.U.T.
R
L
Vout
Monitor
Vin
Vout
10%
10%
10%
Vin
10 V
50
V
DD
= 10 V
td(on)
90%
90%
td(off)
tf
tr
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6