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2SK2590 参数 Datasheet PDF下载

2SK2590图片预览
型号: 2SK2590
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 局域网
文件页数/大小: 7 页 / 1328 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2590
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
Reverse Drain Current I
DR
(A)
Pulse Test
8
6
V
GS
= 10 V
4
0, –5 V
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
s (t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1.0
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
u
1
0.0
hot P
1S
lse
T
C
= 25°C
25
0.03
θch–c
(t) =
γs
(t)
• θch–c
θch–c
= 2.5°C/W, T
C
= 25°C
P
DM
D =PW
T
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
0.01
10
µ
100
µ
Pulse Width PW (s)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vout Monitor
D.U.T.
R
L
Vout
Vin
10 V
50
.
V
DD
= 30 V
.
td (on)
Vin
10%
10%
Waveforms
90%
10%
90%
td (off)
tf
90%
tr
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6