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2SK1668 参数 Datasheet PDF下载

2SK1668图片预览
型号: 2SK1668
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 81 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1668
Reverse Drain Current vs. Source
to Drain Voltage
10
Reverse Drain Current I
DR
(A)
8
Pulse Test
6
4
V
GS
= 10 V
2
V
GS
= 0, – 5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
s
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
Tc = 25°C
1.0
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
θ
ch – c(t) =
γ
s(t)
. θ
ch – c
θ
ch – c = 4.17°C / W, Tc = 25°C
PW
D= T
P
DM
T
1m
10 m
100 m
PW
0.1
0.05
0.02
u
ot P
1 sh
lse
0.03
0.01
0.01
10
µ
100
µ
1
10
Pulse Width PW (S)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vout Monitor
D.U.T
R
L
Vin
10 V
50
Vin
V out
10 %
Waveforms
90 %
10 %
10 %
.
.
V
DD
=
30 V
td (on)
90 %
tr
90 %
td (off)
tf
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6