MMBTA42
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ NPN ）
特点
*高击穿电压
*低集电极 - 发射极饱和电压
*为了配合MMBTA92 （ NPN ）
SOT-23
机械数据
*
*
*
*
*
集热器
3
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
1
BASE
2
辐射源
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
0.110(2.80)
2
0.118(3.00)
尺寸以英寸（毫米）
o
最大额定值
( @ T
A
= 25°C除非另有说明）
评级
集电极电流连续
集电极耗散功率
符号
I
C
P
C
T
J
T
英镑
价值
0.3
350
150
-55到+150
单位
A
mW
o
o
马克斯。工作温度范围
存储温度范围
C
C
电气特性
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
=100uA,I
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
=1mA,I
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
=100uA,I
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
=200V,I
E
=0)
发射极截止电流（V
EB
=5V,I
C
=0)
(V
CE
=10V,I
C
=1mA)
直流电流增益
(V
CE
=10V,I
C
=10mA)
(V
CE
=10V,I
C
=30mA)
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
=20mA,I
B
=2mA)
基射极饱和电压（I
C
=20mA,I
B
=2mA)
过渡频率（V
CE
=20V,I
C
=10mA,f=30MHz)
注： "Fully ROHS Complant" ， "100 ％锡电镀（无铅） " 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
分钟。
300
300
5
-
-
60
100
60
-
-
50
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.25
0.1
-
200
-
0.2
0.9
-
单位
V
V
V
uA
uA
-
-
-
V
V
兆赫
2007-5
RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
