电气特性
(@TA=25
O
C除非另有说明）
Chatacteristic
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 10mAdc ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10mAdc ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10mAdc ， IC = 0 ）
集电极截止电流（ V CE = 60V直流，V EB （关闭） = 3.0VDC
集电极截止电流（V CB = 60V直流， I E = 0 ）
（V CB = 60V直流， I E = 0 ， TA = 125℃ ）
发射极截止电流（V EB = 3.0VDC ， I C = 0 ）
底座截止电流（ V CE = 60V直流，V EB （关闭） = 3.0VDC
O
符号
民
最大
单位
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
IEBO
IBL
40
75
6.0
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.01
10
0.1
20
VDC
VDC
VDC
uAdc
uAdc
uAdc
NADC
基本特征
直流电流增益（ IC = 10mAdc ， V CE = 10V直流， TA = -55℃ ）
（ I C = 500mAdc ， V CE = 10V直流）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ） （IC = 150mAdc ， IB = 15mAdc ）
（ I C = 500mAdc ， I B = 50mAdc ）
基射极饱和电压（ 1 ） （IC = 150mAdc ， IB = 15mAdc ）
（ I C = 500mAdc ， I B = 50mAdc ）
O
的hFE
35
40
-
-
0.6
-
-
-
0.3
1.0
1.2
2.0
-
VCE （ SAT ）
VDC
VBE （ SAT ）
VDC
小信号特性
电流增益带宽积（ 2 ） （IC = 20mAdc的， V CE = 20VDC ， F = 100MHz时）
输入电容（V EB = 0.5VDC ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的）
输入阻抗（ IC = 1.0mAdc ， V CE = 10V直流， F = 1.0kHz ）
（ I C = 10mAdc ， V CE = 10V直流， F = 1.0kHz ）
电压反馈比例（ IC = 1.0mAdc ， V CE = 10V直流， F = 1.0kHz ）
（ I C = 10mAdc ， V CE = 10V直流， F = 1.0kHz ）
小信号电流增益（ IC = 1.0mAdc ， V CE = 10V直流， F = 1.0kHz ）
（ I C = 10mAdc ， V CE = 10V直流， F = 1.0kHz ）
输出导纳（ IC = 1.0mAdc ， V CE = 10V直流， F = 1.0kHz ）
（ I C = 10mAdc ， V CE = 10V直流， F = 1.0kHz ）
集电极基时间常数（ IE = 20mAdc的，V CB = 20VDC ， F = 31.8MHz ）
噪声系数（ IC = 100mAdc ， V CE = 10V直流， RS = 1.0KW ， F = 1.0kHz ）
fT
CIBO
缺氧缺血性脑病
300
-
2.0
0.25
-
-
50
75
5.0
25
-
-
-
25
8.0
1.25
8.0
4.0
300
375
35
200
150
4.0
兆赫
pF
kW
HRE
X 10 -
4
的hFE
-
HOE
RB ，抄送
NF
umhos
ps
dB
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ V CC = 30V直流，V BE （关闭） = -0.5Vdc ， IC = 150mAdc ，我B1 = 15mAdc ）
td
tr
ts
tf
-
-
-
-
10
25
225
60
ns
ns
（ V CC = 30V直流， IC = 150mAdc ，我B1 = I B2 = 15mAdc ）
＆ LT ;
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度- 300毫秒，占空比Cycle<2.0 ％
-
2. f
T
被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一
RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
