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    FM28V100-TG 参数 Datasheet PDF下载

    FM28V100-TG图片预览
    型号： FM28V100-TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 为1Mbit字节宽度的F- RAM存储器 [1Mbit Bytewide F-RAM Memory]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 315 K
    品牌： RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
     浏览型号FM28V100-TG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FM28V100-TG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FM28V100-TG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FM28V100-TG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FM28V100-TG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FM28V100-TG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号FM28V100-TG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号FM28V100-TG的Datasheet PDF文件第12页  
    FM28V100 - 128Kx8 FRAM
    读周期AC参数
    (T
    A
    = -40 ° C至+ 85°C ，C
    L
    = 30 pF的，除非另有规定）
    V
    DD
    2.0〜 2.7V
    V
    DD
    2.7至3.6V
    符号参数
    民
    最大
    民
    最大
    t
    RC
    读周期时间
    105
    -
    90
    -
    t
    CE
    芯片使能存取时间
    -
    70
    -
    60
    t
    AA
    地址访问时间
    -
    105
    -
    90
    t
    OH
    输出保持时间
    20
    -
    20
    -
    t
    AAP
    页面模式地址访问时间
    -
    40
    -
    30
    t
    OHP
    页面模式输出保持时间
    3
    -
    3
    -
    t
    CA
    芯片使能有效时间
    70
    -
    60
    -
    t
    PC
    预充电时间
    35
    -
    30
    -
    t
    AS
    地址建立时间（到/ CE1 ， CE2活动）
    0
    -
    0
    -
    t
    AH
    地址保持时间（ / CE控制）
    70
    -
    60
    -
    t
    OE
    输出启用访问时间
    -
    25
    -
    15
    t
    HZ
    芯片使能输出高-Z
    -
    10
    -
    10
    t
    OHZ
    输出使能高到输出高阻
    -
    10
    -
    10
    写周期AC参数
    (T
    A
    = -40° C到+ 85 ℃，除非另有规定）
    V
    DD
    2.0〜 2.7V
    V
    DD
    2.7至3.6V
    符号参数
    民
    最大
    民
    最大
    t
    WC
    写周期时间
    105
    -
    90
    -
    t
    CA
    芯片使能有效时间
    70
    -
    60
    -
    t
    CW
    芯片使能写使能高
    70
    -
    60
    -
    t
    PC
    预充电时间
    35
    -
    30
    -
    t
    PWC
    页面模式写使能周期时间
    40
    -
    30
    -
    t
    WP
    写使能脉冲宽度
    22
    -
    18
    -
    t
    AS
    地址建立时间（到/ CE1 ， CE2活动）
    0
    -
    0
    -
    t
    AH
    地址保持时间（ / CE控制）
    70
    -
    60
    -
    t
    ASP
    页面模式地址建立时间
    （为/ WE低）
    8
    -
    5
    -
    t
    层次分析法
    页面模式地址保持时间
    （为/ WE低）
    20
    -
    15
    -
    t
    WLC
    写使能低，片已禁用
    30
    -
    25
    -
    t
    WLA
    写使能低到A（ 16 ： 3 ）变更
    30
    -
    25
    -
    t
    AWH
    A（ 16 ： 3 ）更改为写使能高
    105
    -
    90
    -
    t
    DS
    数据输入建立时间
    20
    -
    15
    -
    t
    DH
    数据输入保持时间
    0
    -
    0
    -
    t
    WZ
    写使能低到输出高阻
    -
    10
    -
    10
    t
    WX
    写使能高到输出驱动
    5
    -
    5
    -
    t
    WS
    写使能到CE-主动建立时间
    0
    -
    0
    -
    t
    WH
    写使能到CE-无效保持时间
    0
    -
    0
    -
    笔记
    1
    此参数为特征，但不是100 ％测试。
    2
    CE之间的关系和/ WE确定A / CE-或/ WE控制的写操作。
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    笔记
    1
    1
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    笔记
    1
    1
    1,2
    1,2
    电源周期时序
    (T
    A
    = -40 ° C至+ 85°C ，V
    DD
    = 2.0V到3.6V ，除非另有规定）
    符号
    参数
    民
    最大
    t
    VR
    V
    DD
    上升时间
    50
    -
    t
    VF
    V
    DD
    下降时间
    100
    -
    t
    PU
    上电（V
    DD
    分钟），以第一次访问时间
    250
    -
    t
    PD
    最后进入掉电（V
    DD
    分）
    0
    -
    笔记
    1
    在测量上的V任意点的斜率
    DD
    波形。
    单位
    微秒/ V
    微秒/ V
    µs
    µs
    笔记
    1
    1
    修订版1.2
    2010年5月
    第8页13

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