FM25L04B - 4K位SPI 3V F-RAM
RDSR - 读状态寄存器
该RDSR命令允许总线主机验证
状态寄存器的内容。阅读状态
提供有关的当前状态信息
写保护功能。继RDSR OP-
代码中， FM25L04B会返回一个字节的
状态寄存器的内容。状态寄存器
详细在后面的章节中描述。
WRSR - 写状态寄存器
在WRSR命令允许用户选择
某些写保护功能，通过写一个字节
状态寄存器。在此之前发出WRSR
命令中，/ WP引脚必须为高电平或不活动。
在此之前发送WRSR命令，用户必须
发送WREN命令使能写操作。注意
执行WRSR命令是一个写操作
因此，清除写使能锁存器。
图7. RDSR总线配置
图8. WRSR总线配置（ WREN未显示）
状态寄存器&写保护
该FM25L04B的写保护功能
多层次的。服用/ WP引脚为逻辑低电平状态
是硬件写保护功能。所有的写
操作被阻止时/ WP为低电平。写
内存/ WP高，一个WREN操作码必须先
签发。假设写使用启用
雷恩和/ WP ，写入内存控制
由状态寄存器。如上所述，写操作
状态寄存器使用WRSR进行
命令和受/ WP引脚。状态
寄存器组织如下。
表2.状态寄存器
位
名字
7
0
6
0
5
0
4
0
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
0
写使能锁存器。尝试直接写
在状态寄存器WEL位有没有影响其
状态。该位在内部设置，并通过清除
WREN和WRDI命令，分别。
BP1和BP0的内存块写保护
位。它们指定的内存部分是
写保护如示于下表中。
表3块存储器写保护
BP1
BP0受保护的地址范围
0
0
无
0
1
180H至1FFh （上¼ ）
1
0
100h to 1FFh (upper �½)
1
1
000H至1FFh （全部）
该BP1和BP0位允许软件选择
写保护阵列。这些设置仅用于
当/ WP引脚处于非活动状态和WREN
命令已发出。下面的表
总结了写保护的条件。
位0和7-4分别固定为0 ，并且不能修改。
需要注意的是第0位（ “就绪”中的EEPROM ）是
不必要的F -RAM的写操作中实时和是
永不占线。该BP1和BP0控制写
保护功能。他们是非易失性（阴影
黄色）。该WEL标志指示的状态
修订版1.3
2011年2月
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