FM24CL64B-GATR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FM24CL64B-GATR
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内容描述：	64Kb的串行3V F-RAM存储器 [64Kb Serial 3V F-RAM Memory]
分类和应用：	存储
文件页数/大小：	12 页 / 223 K
品牌：	RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]

FM24CL64B - 64Kb的3V I2C F-RAM （汽车温度。）

寻址概述

经过FM24CL64B （如接收器）承认

从机地址，主机可以放置记忆

地址总线用于写入操作上。地址

需要两个字节。第一是MSB。自从

设备只使用13位地址，值了

高三位是“不关心” 。继MSB

是LSB与剩余的8个地址位。该

地址值是内部锁存。每个访问

使锁存的地址值被增加

自动。当前的地址是是值

在闩锁保持 - 无论是新写入的值或

处理后的最后一次访问。当前地址

将于只要动力仍然存在，或直到

新的值被写入。读操作总是使用当前

地址。随机读地址可以通过加载

开始写入操作，如下所述。

每个数据字节发送之后，刚好在

承认，在FM24CL64B递增

内部地址锁存器。这允许下一顺序

将没有额外的寻址访问字节。

的最后一个地址（ 1FFFh的）到达之后，地址

锁存器将滚动到0000h。是没有限制的

的字节数，可以用一个单一的访问

读或写操作。

数据传输

地址信息发送完毕后，

总线主控器和之间的数据传输

FM24CL64B可以开始。用于读出操作的

FM24CL64B将放置8个数据位的总线上，然后

等待主人的应答。如果

确认时， FM24CL64B将转让

下一个连续字节。如果确认是不是

发送时， FM24CL64B将结束读操作。

对于写操作， FM24CL64B将接受8

从主数据位，然后发送一个应答。

所有的数据传输发生MSB（最高显著位）

科幻RST 。

在配置写入EEPROM 。完整

操作为写操作和读操作进行说明

下文。

写操作

所有的写操作首先从器件地址，然后记忆

地址。总线主机表示写操作

通过设定的最低位从地址（R / W位）到

“0”。处理后，总线主机发送的每个字节

数据的存储器和存储生成

应答条件。任何数量的连续

字节可以被写入。如果地址范围的结束

在内部达成，地址计数器将返回

从1FFFh的为0000H。

不像其他的非易失性存储器技术，有

没有有效的写操作延迟， F-RAM 。自从

读取和写入底层的访问时间

存储器是相同的，用户遇到无延迟

通过该总线。发生在整个存储器周期

时间少于单个总线时钟。因此，任何

操作包括读或写可发生

立即写入以下。应答查询，

与EEPROM器件中使用的技术，以确定是否

写操作完成时是不必要的，永远

返回就绪状态。

在内部， 8后实际内存写操作

数据位被传输。这将是之前的完整

确认被发送。因此，如果用户希望

中止写入，而不改变存储器的内容，

这应该利用启动或停止前的条件进行

到8

数据位。该FM24CL64B不使用网页

缓冲。

存储器阵列可以使用写保护

WP引脚。设置WP引脚为高电平状态

）将写保护的所有地址。该

FM24CL64B不会承认数据字节

写入保护的地址。此外，该

地址计数器不会增加，如果写操作

试图将这些地址。设置WP到低

国家（V

）将停用此功能。 WP拉

倒在内部。

下面图5和图6示出了一个单字节和

多字节写周期。

内存操作

该FM24CL64B被设计的方式来操作

非常类似于其他的2线接口存储器

产品。主要的差别从结果

F-RAM的性能更高的写入能力

技术。这些改进导致一些

该FM24CL64B和一个类似的差异

修订版1.1

2011年6月

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