FM22LD16 - 256Kx16 FRAM
图1.框图
引脚说明
引脚名称
TYPE
A(17:0)
输入
/ CE
输入
/ WE
输入
/ OE
DQ （15 ：0）
/ UB
输入
I / O
输入
/磅
输入
VDD
VSS
供应
供应
引脚说明
地址输入： 18地址线选择262,144字的F-RAM阵列中的一个。该
最低的两个地址线A （1 ：0）可用于页面模式读取和写入操作。
芯片使能输入：设备选择和新的内存访问开始时， / CE是
低。整个地址被内部锁存/ CE的下降沿。随后的变化
在A（ 1 ： 0 ）的地址输入允许页面模式操作时， / CE为低电平。
写使能：一个写周期开始时/ WE为有效。上升沿使
FM22LD16写的DQ总线的F-RAM阵列上的数据。的/ WE的下降沿
锁存一个新的列地址为页模式写周期。
输出使能：当/ OE是低电平时， FM22LD16驱动数据总线时有效读取数据
可用。拉高/ OE高的三态DQ引脚。
数据：用于访问所述的F- RAM阵列16位双向数据总线。
高字节选择：启用DQ （ 15 ： 8 ），销过程中的读取和写入。拉高/ UB高
三态DQ管脚。如果用户不执行字节写入和设备不
配置为512Kx8中，/ UB和/ LB引脚可接地。
低字节选择：启用DQ （ 7 ： 0 ）引脚在读取和写入。拉高/ LB三高
规定的DQ引脚。如果用户不执行字节写入和设备不配置
作为512Kx8中，/ UB和/ LB引脚可接地。
电源电压
地
修订版2.0
2009年12月
第14页2
RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
