2-5）。沿着一个特定的X线只需一键必须是
观察到的，因为每个沿X线上的键将是相同的。
所选择的驻留时间超过所观察到的95％的
25％或更多沉降在X脉冲。
在几乎所有情况下，RY应设置为等于接收，这将
确保在Y线中的电荷被完全捕捉到Cs的
电容。
该设备。这种信号应远离，在Y
线，或设计应该是这样的，这些线是不
信号采集（脉冲串）的过程中切换。
被多路复用或者切换到一个浮置的LED端子
状态的，哪些是在身体上还是非常接近的关键
结构（即使在附近另一家PCB）应被绕过
至Vss或Vdd的与至少一个10nF的任何类型的电容器，
抑制电容耦合效应，可导致假
信号的变化。它们不断地连接到终端主导
VSS或VDD不需要进一步的旁路。
2.9主要设计
的各种材料的电路可以构造出
包括柔性电路， FR4 ，甚至廉价的单面
CEM-1.
实际的内部图案样式并不重要，重要的是
需要实现定期X和Y的宽度和间隔
大小足够覆盖所需的图形按键面积还是有点小
多一点; 〜3mm的尺寸过大的是在大多数情况下可以接受的，因为
关键的电场落靠近边缘而已。整体
密钥大小的范围可以从毫米x10毫米达到100mm ×100mm的
但这些都不是硬性限制。该密钥可以是任意形状
包括圆形，矩形，正方形等。内部图案
可以简单为Y的坚实周边在一个酒吧
X或（优选）相互交叉，如图2-6所示。
为更好的表面水分抑制，的外周
X应该是尽可能的宽，并且不应该有
地平面附近的键。变量“T”在该图
代表所有材料的总厚度的密钥必须
穿透。
参见图2-6和重点布局的例子，第30页。
2.10.2 PCB清洁度
所有电容传感器应被视为高度敏感
这可以通过杂散导电泄漏的影响的电路
路径。 QT器件在femtofarad基本解决
范围内;在这一地区，有没有这样的东西'不清洗助焊剂“ 。
磁通吸收水分并变成导通之间
焊点，造成信号漂移和得到的误检
敏感或不稳定的或短暂亏损。保形
涂料将捕获水分的现有数量，然后将其
成为对温度十分敏感。
设计者应指定超声波清洗的部分
制造过程中，和在情况下的一个较高的水平
湿度预计，以后使用保形涂料
清洁，防止有水分。
2.11电源的注意事项
因为这些设备使用电源本身作为一个模拟
参考，电源应该是很干净，来自
独立的监管机构。一个标准的廉价的LDO稳压器类型
应使用未还用于驱动其他负载
如发光二极管，继电器，或其它大电流的设备。负载转移的
LDO的输出会导致Vdd的波动足以
导致错误的检测或灵敏度的变化。
陶瓷0.1uF的旁路电容应该放在非常接近
和布线短痕迹IC的所有电源引脚。那里
应该是周围部分的至少3个这样的电容器。
2.10 PCB布局，建设
最好是放置在芯片附近的相同的触摸按键
印刷电路板，以减少X和Y的迹线长度，从而降低了
机会的EMC问题。龙连接的痕迹作为
RF天线。在Y （接收）线更易受
噪声拾音器比X（驱动器）线。
甚至更重要的是，所有的信号相关的离散的部分（ R和
C的）应该非常靠近芯片的主体。接线
在芯片和各R和C'S应尽可能之间
短而直，尽量抑制噪声。
地平面和走线应不会被周围的使用
键和从键在Y线。接地区域，走线和
充当AC地其他相邻的信号导体（如
当VDD和LED驱动线路等）将吸收接收到的密钥
信号和降低信号噪声比（SNR） ，从而将
适得其反。接地层左右按键也会使
水膜效果差。
接地层，如果使用的话，应置于或围绕
QT芯片本身和相关的r和C的电路中，
下或左右的电源，并返回一个连接器，但
无处。
对于一个单面PCB布局示例，请参见第30页。
2.12启动/校准时间
该设备需要初始化时间如下：
1.从最初的通电，以沟通能力：
2,083ms （一次事件来初始化的EEPROM的所有，或至
从FLASH中的事件中恢复EEPROM副本
EEPROM损坏）
2.从上电到的沟通能力：
2100毫秒事件中的一部分，正在被迫恢复
出厂默认设置。
3.从上电到的沟通能力：
36毫秒的事件设置已被更改，
该部分需要备用EEPROM中闪烁。
4.正常冷启动能力，沟通：
为3ms （任何复位正常初始化）
每个键与突发间隔5校准时间， 32和48
启用键（如下表） ：
2.10.1 LED痕迹等开关信号
数字开关信号附近在Y线会诱发瞬态
进入采集信号，日益恶化的SNR性能比较
lQ
6
QT60486 -AS R8.01 / 0105
QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]
