图2-4 X -驱动脉冲滚降和停留时间
图2-6推荐的重点结构
“T”理想地应当类似于完整厚度的字段需要
穿透到触摸表面。更小的尺寸也可以工作，但会给
少的信号强度。如有疑问，请图案粗糙。
X驱动器
失去电荷因
沉淀不足
停留时间结束前
停留时间
ÿ门
图2-5探测的X驱动波形用硬币
Rx和Ry的上限分别到达信号时
水平，因此按键的灵敏度均明显减少。极限
Rx和Ry将取决于键的几何形状和杂散
电容，并因此示波器必须确定
两者的最佳值。
接收的上限可以根据键的几何形状发生变化，并
杂散电容，并且进行一些试验和
示波器都需要确定最佳值。
停留时间
时的持续时间，其中从X电荷耦合至Y
被捕获。增加的Rx值将导致的前缘
在X脉冲日益滚下，造成抓获的损失
充电（并且因此损耗的信号强度）从钥匙
（图2-4） 。这些部件中的停留时间固定为375ns 。如果
在X脉冲并没有375ns之内解决，关键的增益会
降低;如果发生这种情况，在X的杂散电容
路线应减少（由布局变化，例如通过
可减少X线照射至附近的接地层或迹线） ，或
在Rx的电阻需要被减小值（或组合
两种方法） 。
增加脉冲串长度（ BL）的参数将增加
增加采样电阻信号强度为意志（ RS）
值。
确定X线上的沉降时间的一种方式是监测领域
用补丁的金属箔片或小硬币通过键（图
2-5）。沿着一个特定的X线只需一键必须是
观察到的，因为每个沿X线上的键将是相同的。
在250ns的停留时间应超过所观察到的95％的
25％或更多沉降在X脉冲。
在几乎所有情况下，RY应设置为等于接收，这将
确保在Y线中的电荷被完全捕捉到Cs的
电容。
2.8 Matrix系列电阻器
X和Y矩阵扫描线应使用串联电阻
（分别简称为Rx和Ry ）为改进的电磁干扰
性能。
X驱动线路要求他们在大多数情况下，降低边沿速率
从而减少RF辐射。典型值的范围从1K到
20K欧姆。
Y布线需要他们减少EMC问题的敏感性和
某些极端的情况下， ESD 。典型的Y值范围1K左右
欧姆。 Ÿ电阻起到了降低噪音的敏感性问题
形成天然的低通滤波器与Cs的电容。
至关重要的是，在Rx和Ry的电阻和电容Cs的是
放在非常靠近芯片。将这些部件多于一个
几毫米远断开电路开高频
干扰问题（在20MHz以上）的走线长度
组件与芯片之间展开，作为射频
触角。
2.9主要设计
的各种材料的电路可以构造出
包括柔性电路， FR4 ，甚至廉价的单面
CEM-1.
实际的内部图案样式并不重要，重要的是
需要实现定期X和Y的宽度和间隔
大小足够覆盖所需的图形按键面积还是有点小
多一点; 〜3mm的尺寸过大的是在大多数情况下可以接受的，因为
关键的电场落靠近边缘而已。整体
密钥大小的范围可以从毫米x10毫米达到100mm ×100mm的
但这些都不是硬性限制。该密钥可以是任意形状
包括圆形，矩形，正方形等。内部图案
lQ
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QT60248 -AS R4.02 / 0405
QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]
