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    QT160 参数 Datasheet PDF下载

    QT160图片预览
    型号： QT160
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    内容描述： 6键电荷转移的QTouch传感器IC [6 KEY CHARGE TRANSFER QTOUCH SENSOR IC]
    分类和应用： 传感器
    文件页数/大小： 12 页 / 701 K
    品牌： QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]
     浏览型号QT160的Datasheet PDF文件第3页浏览型号QT160的Datasheet PDF文件第4页浏览型号QT160的Datasheet PDF文件第5页浏览型号QT160的Datasheet PDF文件第6页浏览型号QT160的Datasheet PDF文件第8页浏览型号QT160的Datasheet PDF文件第9页浏览型号QT160的Datasheet PDF文件第10页浏览型号QT160的Datasheet PDF文件第11页  
    3.6 ESD保护
    在将电极置于后面的电介质的情况下
    面板， IC将受到保护，免受直接的静电放电。
    然而，即使一个面板，瞬变仍然能够流入
    电极通过感应或通过介电极端的情况下
    击穿。多孔材料可允许的火花隧道
    通过正确的材料。测试需要发现任何
    问题。该设备确实有其SNS保护二极管
    销其吸收和保护大多数诱导装置
    放电，高达20mA ;内部的用处
    夹紧将取决于介电性能，面板
    在ESD瞬变的厚度和上升时间。
    在极端的情况下， ESD耗散，可以进一步辅助
    加串联电阻器与电极线所示
    图1-1 。因为充电时间为1.2微秒，所述电路可
    容忍系列-R值大，可达20K欧姆的情况下，
    其中，电极Cx的负载低于10pF的。额外的二极管
    保护的电极，也可以使用，但是这常常
    导致额外的射频干扰问题，因为二极管整顿RF
    信号转换成直流电，将干扰测量。
    直接把半导体瞬态保护器件
    或MOV的上引线感，不建议;这些设备
    有非常大量的非线性寄生的C这
    将淹没的电极的电容。
    系列-R的应足够低，以允许至少6 RC
    发生的时间常数充电和传输过程中
    相，其中R是所添加的串联R和C是负载Cx的。
    如果该装置是通过一个连接到外部控制电路
    电缆或长双绞线，它有可能为地面反射到
    会损坏输出管脚和/或干扰关键
    感应。噪声电流注入到所述电源是最好的
    通过分流噪声一边到机壳接地与处理
    电容器，并限定使用电阻或铁氧体。
    3.7 RFI保护
    印刷电路板布局，接地和输入电路的结构
    有一个很大的影响设计的成功，可以
    承受较强的射频干扰。
    该电路是非常免疫RFI规定，某些
    设计规则被粘附到：
    1.使用贴片元件，以减少导线长度。
    2.请务必使用下面及周围电路的接地平面
    并沿感测线，即作为完整的
    可能除了救灾和下感觉身边
    线，以减少总Cx的。缓解后方地平面
    通过消除对他们1cm处应该是'修补'
    间隔为0.5mm “梯级”就像一个阶梯。
    3.接地层应仅连接到一个公共
    点靠近IC的VSS引脚放置。
    4.路感走线远离其它走线或电线的
    连接到其它电路。
    5.感应电极应尽量远离其他
    电路和理由而没有直接连接到
    传感器本身的电路接地;其他理由会
    似乎漂浮在高频率和耦合射频
    电流进入检测线。
    6.保持6铯采样电容和全系列-R
    组件靠近IC 。
    7.用一个0.1μF的陶瓷最小旁路电容很接近
    在QT160 / 161电源引脚。
    8.使用串联-R是尽可能大的值，作为在感测线，
    该电路可以容忍。
    9.旁路输入电源机箱地和再次
    电路接地，以减少线路注入噪声的影响。
    铁氧体的电源布线可能需要
    衰减线注入噪声。
    实现RF抗干扰能力主要是需要勤奋和良好的
    接地，屏蔽和布局工作知识
    技术。
    lQ
    7
    QT160 / 161 1.07 / 0904

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