QT140-A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	QT140-A
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内容描述：	4和5键的QTouch传感器IC [4 AND 5 KEY QTOUCH SENSOR ICs]
分类和应用：	传感器
文件页数/大小：	14 页 / 718 K
品牌：	QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]

未使用的通道不应该有意识的痕迹或

电极连接到它们。

3.7 RFI保护

印刷电路板布局，接地和输入电路的结构

有一个很大的影响设计的成功，可以

承受较强的射频干扰。

该电路是非常免疫RFI规定，某些

设计规则被粘附到：

1.使用贴片元件，以减少导线长度。

2.连接电极SNSnA ，不SNSnB引脚。

3.使用一个接地层下和周围的电路及

沿着感测线，即作为不间断地

除了救灾和下感线旁

降低总Cx的。缓解后方地平面沿

通过消除对他们在SNS线应该是'修补'

1厘米间隔为0.5mm “梯级”就像一个阶梯。

4.接地平面和走线应该只连接到一个

靠近IC的Vss的引脚公共点。

5.将感应线路远离其它走线或电线的

连接到其它电路。

6.感应电极应远离其他

电路和理由而没有直接连接到

传感器本身的电路接地;其他理由会

似乎漂浮在高频率和耦合射频

电流进入检测线。

7.保持铯采样电容和全系列-R

组件靠近IC 。

8.用一个0.1μF的陶瓷最小旁路电容很接近

在VSS / Vdd电源电压引脚。

9.使用串联-R是尽可能大的值，作为在感测线，

该电路可以容忍，而不会降低灵敏度

明显。

10.Bypass输入电源机箱地和再次

电路接地，以减少线路注入噪声的影响。

铁氧体的电源布线可能需要

衰减线注入噪声。

实现RF抗干扰能力需要勤奋和良好的

接地，屏蔽和布局工作知识

技术。涉及这些设备将失败极少数项目

EMC测试一次正确构造。

3.6 ESD保护

在将电极置于后面的电介质的情况下

面板， IC将受到保护，免受直接的静电放电。

然而，即使一个面板，瞬变仍然能够流入

电极通过感应或通过介电极端的情况下

击穿。多孔材料可允许的火花隧道

通过正确的材料。测试需要发现任何

问题。该设备确实有其SNS保护二极管

销其吸收和保护大多数诱导装置

放电，高达20mA ;内部的用处

夹紧将取决于介电性能，面板

在ESD瞬变的厚度和上升时间。

在极端的情况下， ESD耗散，可以通过进一步援助

加1K串联电阻串联在电极为

至1-8示于图1-6。因为充电时间

是1.2μS ，该电路可以容忍系列-R的值大，可达

到20k的欧姆的情况下电极Cx的负载低于

10pF的。在电极处的额外的保护二极管，也可

使用，但是这通常会导致额外的射频干扰问题，因为

二极管整顿RF信号转换成直流电，将干扰

信号。

如果该系列-R过大，灵敏度会脱落。

直接把半导体瞬态保护器件

或MOV的上感引线是

不建议;

这些设备

有非常大量的非线性寄生的C这

会淹没电极和事业的电容

奇怪的感知问题。

系列-R的应足够低，以允许至少6 RC

发生的时间常数充电和传输过程中

相，其中R是所添加的串联R和C是负载Cx的。

如果该装置是通过一个连接到外部控制电路

电缆或长双绞线，它有可能为地面反射到

会损坏输出管脚和/或干扰关键

感应。噪声电流注入到所述电源是最好的

通过分流噪声一边到机壳接地与处理

电容器，并进一步限制使用电阻或铁氧体。

QT140 / 150 1.01 / 1102

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