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QT118H-D 参数 Datasheet PDF下载

QT118H-D图片预览
型号: QT118H-D
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内容描述: 电荷转移触摸传感器 [CHARGE-TRANSFER TOUCH SENSOR]
分类和应用: 传感器
文件页数/大小: 14 页 / 422 K
品牌: QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]
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温度范围。如果快速的温度变化,预计,
特别是具有较高的灵敏度,更稳定的电容可以
必需的,例如PPS膜。在大多数中等增益
应用程序(即,在大多数情况下) ,低成本的X7R型将工作
罚款。
如果没有这个电容的部分可以打入高频
振荡,让身体热,停止工作,或成为
损坏。
PCB清洁度:
所有的电容式传感器应该如何治疗
这可以通过杂散的影响是高度敏感的电路
导电泄漏路径。 QT器件具有一个基本
在femtofarad距离分辨率;在该区域中,不存在
这样的东西'不清洗助焊剂“ 。磁通吸收水分和
变成导通的焊点之间,引起信号
漂移和由此产生的误检或暂时丧失
敏感性。敷形涂料可以捕获现有量
水分,然后将变得高度的温度
敏感的。
设计者应认真考虑超声波清洗的
在制造过程的一部分,并在更极端
的情况下,清洗后用保形涂层和
烘烤。
3.2电极线
另请参见3.4节。
电极和它的连接迹线布线
重要的是要获得高的信号电平,噪声低。
某些设计规则,应坚持以达到最佳效果:
1.使用一个地平面下的IC本身和Cs和Rs
但不重下,或下,或紧紧围绕
电极或其连接的痕迹。不断地走
从这些事情,以减少杂散加载(这将
大幅降低灵敏度) 。
2.保持铯,卢比和Re非常接近IC 。
3.再尽可能的大。作为测试,检查并
确保增加重的50%,不会明显地
降低灵敏度;如果这样做,减少重新直到50%的
测试增加对灵敏度的影响可以忽略。
4.不要将传感线附近其他“活”的痕迹
含重复开关信号;跟踪会挑
从外部信号的噪声。
3.3.1 S
UPPLY
C
光凭目前
测量平均耗电量是一项具有挑战性的任务
由于该设备的操作的突发性质。即使是
质量好RMS DMM将很难跟踪
相对较慢的连拍速度,并显示读数不稳定。
测量值独立的最简单的方法是把一个非常大的
电容,如在电源引脚上2,700μF ,并把
从那里220欧姆的电阻器返回到电源。
测量跨220电阻上的电压与一个数字万用表和
计算根据欧姆定律的电流。该电路将
3.3电源, PCB LAYOUT
电源电压范围为2.5〜 5.0伏。在2.5伏特平均出电流,以提供更流畅的阅读。
漏电流平均值小于10μA与CS = 10nF的,
以减少电流消耗最大,使用高或低
提供一个470K卢比电阻时(图1-1)。样本独立同增销仅设置,铯的最小值可能
曲线如图4-3所示。
作品,和一个470K电阻(RS)两端铯(图1-1)。 RS
铯的数值越高,会提高电流消耗。高Cx的值
实际上可以
减少
功耗。操作可以是从
电池,但要谨慎负载造成电压下降
(见
输出驱动器,
2.2.6节)电池的电量是否
不受管制。
由于电池电压跌落与使用或缓慢波动
温度, IC将跟踪和补偿这些
在感光度只有轻微的变化自动改变。
如果电源与另一个电子系统共享,
应当小心以保证供应是自由的
数字尖峰,突降和浪涌可产生不利影响
该设备。该IC将跟踪VDD的缓慢变化,但能
受快速电压的步骤。
如果需要,该电源可以使用常规的调节
低电流稳压器,例如CMOS LDO稳压器
已纳安静态电流。应注意这
调节器不具有最小负载说明书中,
这几乎肯定会被QT118的低点被侵犯
电流要求。此外,有些LDO稳压器
无法提供的足够的瞬时调控
静态和掌握国家,创造Vdd的扰动
会妨碍采购过程。这通常可以
通过增加一个小的额外负载从VDD到地,这样的解决
为10K欧姆,以提供对调节器的最小负荷。
传统的非LDO稳压器类型通常比较
稳定比速度慢,低功耗CMOS LDO类型。咨询
稳压器制造商的建议。
对于正确的操作一个100nF ( 0.1uF的)陶瓷旁路
电容器必须在Vdd和Vss之间使用;旁路
帽应该放在非常靠近器件的电源引脚。
作用,帮助排出电容Cs的脉冲串之间,其
存在显着减少功率消耗。
3.3.2 ESD P
ROTECTION
在将电极置于后面的电介质的情况下
面板, IC将受到保护,免受直接的静电放电。
然而,即使一个面板的瞬变仍然能够流入
电极通过感应或通过介电极端的情况下
击穿。多孔材料可允许的火花隧道
通过正确的材料。测试需要发现任何
问题。该装置具有在其端子二极管保护
这将吸收和防止器件的ESD最
事件;内部夹紧的用处将随
上的介电性能,面板厚度,以及上升时间
在ESD瞬变。
可用的最好的方法来抑制ESD和RFI是
插入一个串联电阻再串联在电极作为
如图1-1所示。该值应为最大的那
不影响检测性能。如果重太高,则
传感器的增益将减小。
因为QT118的充电和传输时间
相对长的(〜 2μs)内,该电路可以容忍的大值
再次,往往在大多数情况下大于10k的欧姆。
二极管或半导体瞬态保护装置或
MOV的电极上跟踪不建议;这些设备
有非常大量的非线性寄生
电容,它会淹没的电容
电极而引起的错误检测和其他形式的
不稳定。二极管也可作为RF检波器,将导致
严重的RF抗干扰问题。
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QT118H R1.08 / 0405