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    HYB25D256400BTL-6 参数 Datasheet PDF下载

    HYB25D256400BTL-6图片预览
    型号： HYB25D256400BTL-6
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66]
    分类和应用： 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 83 页 / 3071 K
    品牌： QIMONDA [ QIMONDA AG ]
     浏览型号HYB25D256400BTL-6的Datasheet PDF文件第75页浏览型号HYB25D256400BTL-6的Datasheet PDF文件第76页浏览型号HYB25D256400BTL-6的Datasheet PDF文件第77页浏览型号HYB25D256400BTL-6的Datasheet PDF文件第78页浏览型号HYB25D256400BTL-6的Datasheet PDF文件第79页浏览型号HYB25D256400BTL-6的Datasheet PDF文件第80页浏览型号HYB25D256400BTL-6的Datasheet PDF文件第81页浏览型号HYB25D256400BTL-6的Datasheet PDF文件第83页  
    HYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)  
    256-Mbit Double Data Rate SDRAM  
    Package Outlines  
    ±5˚  
    ±5˚  
    15˚  
    15˚  
    2)  
    ±0.13  
    10.16  
    0.65  
    ±0.1  
    0.5  
    ±0.2  
    11.76  
    0.1 66x  
    32 x 0.65 = 20.8  
    M
    0.12  
    66x  
    3)  
    ±0.08  
    0.3  
    66  
    1
    34  
    33  
    2.5 MAX.  
    1)  
    ±0.13  
    22.22  
    Index Marking  
    1) Does not include plastic or metal protrusion of 0.15 max. per side  
    2) Does not include plastic protrusion of 0.25 max. per side  
    3) Does not include dambar protrusion of 0.13 max.  
    Figure 52 P-TSOPII-66-1 (Plastic Thin Small Outline Package Type II)  
    Data Sheet  
    82  
    Rev. 1.21, 2004-07  
    02102004-TSR1-4ZWW  

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