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HYB18T1G400C2C-3 参数 Datasheet PDF下载

HYB18T1G400C2C-3图片预览
型号: HYB18T1G400C2C-3
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内容描述: [DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60]
分类和应用: 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 68 页 / 3874 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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Internet Data Sheet  
HY[B/I]18T1G[40/80/16]0C2[C/F]  
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM  
9
Product Nomenclature  
For reference the Qimonda SDRAM component nomenclature is enclosed in this chapter.  
TABLE 46  
Examples for Nomenclature Fields  
Example for  
Field Number  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
DDR2 DRAM  
HYB  
18  
T
1G  
16  
0
A
C
–3.7  
TABLE 47  
DDR2 Memory Components  
Field Description  
Values  
Coding  
Memory components  
1
Qimonda Component Prefix  
HYB  
HYI  
18  
Memory components, industrial temperature range (-40°C – +85 °C)  
2
Interface Voltage [V]  
SSTL_18, + 1.8 V (± 0.1 V)  
15  
SSTL_15, + 1.5 V (± 0.1 V)  
3
4
DRAM Technology  
T
DDR2  
32 Mbit  
64 Mbit  
128 Mbit  
256 Mbit  
512 Mbit  
1 Gbit  
2 Gbit  
4 Gbit  
× 4  
Component Density [Mbit]  
32  
64  
128  
256  
512  
1G  
2G  
4G  
40  
5
Number of I/Os  
80  
× 8  
16  
× 16  
32  
× 32  
6
7
Product Variant  
Die Revision  
0 .. 9  
A ( 0...9 ) First  
B ( 0...9 ) Second  
C ( 0...9 ) Third  
8
9
Package,  
Lead-Free Status  
C
F
FBGA, lead-containing  
FBGA, lead-free  
Power  
Standard power product  
Low power product  
L
Rev. 1.02, 2008-01  
63  
09262007-3YK7-BKKG  
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