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HYB18T1G800AFL-3.7 参数 Datasheet PDF下载

HYB18T1G800AFL-3.7图片预览
型号: HYB18T1G800AFL-3.7
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内容描述: [DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-68]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 53 页 / 2560 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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HYB18T1G[40/80/16]0AF(L)–[3S/3.7/5]  
1-Gbit DDR2 SDRAM  
Currents Specifications and Conditions  
Table 33  
Symbol  
IDD Specification for HYB18T1G[40/80/16]0AF(L)  
–3S  
DDR2–667D  
Max.  
81  
-3.7  
-5  
Unit  
Notes  
DDR2 - 533C  
DDR2 - 400B  
Max.  
75  
80  
85  
95  
46  
7
Max.  
70  
IDD0  
IDD1  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
×4/×8  
×16  
90  
75  
100  
109  
60  
80  
×4/×8  
×16  
90  
IDD2N  
IDD2P  
IDD2PL  
IDD2Q  
IDD3N  
35  
7
7
1)  
3
39  
23  
50  
20  
13  
9
28  
65  
40  
2)  
3)  
I
DD3P0 (fast exit)  
22  
18  
IDD3P0L (fast exit)  
I
I
DD3P1 (slow exit)  
DD3P1L (slow exit)  
9
9
5
IDD4R  
200  
240  
200  
260  
200  
10  
145  
175  
140  
195  
185  
10  
8
115  
140  
110  
155  
180  
10  
×4/×8  
×16  
IDD4W  
×4/×8  
×16  
IDD5B  
IDD5D  
IDD6  
4)  
8
8
IDD6L  
IDD7  
3
242  
313  
230  
300  
205  
265  
×4/×8  
×16  
1) Only for Low Power Products  
2) MRS(12)=0  
3) MRS(12)=1  
4) For IDD5D and IDD6: 0 TCASE 85 °C  
Internet Data Sheet  
34  
Rev. 1.31, 2007-01  
03292006-1X3H-6X8S  
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