PE42851
产品speci fi cation
表4.绝对最大额定值
参数/条件
电源电压
数字输入电压
(V1, V2, V3)
TX RF输入功率
1
(50Ω
源/负载阻抗）
TX RF输入功率
1
（ VSWR
≤
8:1)
ANT RF输入功率，公正的
（ VSWR
≤
8:1)
RX RF输入功率
1
（ VSWR
≤
8:1)
存储温度范围
最大外壳温度
最大峰值结
温度
（最长10秒）
ESD HBM电压
2
所有的管脚
ESD电压MM
3
所有的管脚
ESD电压CDM
4
所有的管脚
符号
V
DD
V
CTRL
P
IN- TX
P
IN- TX
P
IN- ANT
P
IN- RX
T
ST
T
例
T
j
V
ESD， HBM
V
ESD， MM
V
ESD，清洁发展机制
-65
民
-0.3
-0.3
最大
5.5
3.6
45
40
27
27
150
85
200
1500
200
1000
单位
V
V
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
°C
开关频率
该PE42851具有最大10 kHz的开关
率时，内部负电压发生器
被使用（销16 = GND）。的速率的
PE42851可以切换为仅限定于
切换时间（表
1)
如果一个外部负
电源提供（引脚16 = VSS
EXT
).
开关频率描述的持续时间
切换事件之间。开关时间是
点的控制信号之间的持续时间
达到最终的值和点的50％
内的10％或90％的输出信号达到其
目标值。
可选的外部滑模变结构控制（VSS
EXT
)
°C
V
V
V
注：1。供应偏
2.人体模型（ MIL - STD 883方法3015 ）
3.机器模型（ JEDEC JESD22- A115 ）
4.带电器件模型（ JEDEC JESD22- C101 ）
对于正确的操作，在VSS
EXT
控制引脚必须
接地或连接到在指定的Vss的电压
表3中。
当在VSS
EXT
控制引脚接地，
在场效应晶体管开关被偏置与内部
电压发生器。对于需要的应用
尽可能低的杂散性能时，VSS
EXT
可以
外涂绕过内部负
电压发生器。
杂散性能
该PE42851的典型杂散性能
是时-130 dBm的Vss的
EXT
= 0V （引脚16 = GND）。如果
进一步的改进是所希望的，内部
负电压发生器可以由被禁用
Vss的设置
EXT
= -3.4V.
表5.真值表
路径
ANT - RX衰减
蚂蚁 - 的Tx1
蚂蚁 - Tx2的
ANT - TX1和TX2
1
ANT - RX
V3
L
L
L
L
H
H
H
H
V2
L
L
H
H
L
L
H
H
V1
L
H
L
H
L
H
L
H
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应
仅限于限制在工作范围
表。工作范围的操作
最高和绝对最大的扩展
期间可能会降低可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS设备，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，而UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级
5×5毫米QFN封装是MSL3 。
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®
®
ANT - TX3
ANT - TX4
ANT - TX3和TX4
1
注1 ：在2TX- 1RX SP3T配置， TX1和TX2被捆绑和TX3和
TX4分别绑。请参考应用笔记AN35的SP3T
性能数据
文件编号DOC- 13014-3
│
的UltraCMOS
®
RFIC解决方案
PSEMI [ Peregrine Semiconductor ]
