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型号: PE42821
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内容描述: UltraCMOS®单刀双掷射频开关100 - 2700兆赫 [UltraCMOS® SPDT RF Switch 100 - 2700 MHz]
分类和应用: 开关射频开关光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 403 K
品牌: PSEMI [ Peregrine Semiconductor ]
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PE42821
产品speci fi cation
表4.绝对最大额定值
参数/条件
电源电压
数字输入电压(V1)
符号
V
DD
V
CTRL
-0.3
-0.3
最大
5.5
3.6
45.5
44.5
-65
+150
+85
+200
1500
200
250
单位
V
V
DBM
DBM
°C
°C
°C
V
V
V
表5.控制逻辑真值表
路径
RFC - RF1
RFC - RF2
CTRL
H
L
最大输入功率
100
兆赫 - 2 GHz的P
MAX , ABS
>2
千兆赫 - 2.7 GHz的
存储温度范围
最大外壳温度
最大峰值结
温度(最长10秒)
ESD HBM电压
1
所有的管脚
ESD电压MM
2
所有的管脚
ESD电压CDM ,所有引脚
3
可选的外部滑模变结构控制(VSS
EXT
)
对于需要更快的开关速度的应用程序
或刺激无性能,这部分可以是
在旁路模式操作。旁路模式需要
除了一个外部负电压
外部V
DD
电源电压。
在特定网络版
表3
外部负
电压(VSS
EXT
)时,适用于16引脚意志
禁用和旁路内部负电压
发电机。
开关频率
该PE42821具有最大25 kHz的开关
率在正常模式下(引脚16 = GND)。更快
开关频率可在旁路模式(引脚16
VSS =
EXT
) 。在该PE42821能率
交换然后被限定于切换时间作为
在指定的
表1中。
开关频率描述的持续时间
切换事件之间。开关时间是
点的控制信号之间的持续时间
达到最终的值和点的50%
内的10%或90%的输出信号达到其
目标值。
杂散性能
典型的低频寄生性能
在正常模式下PE42821的是-137 dBm的(销
16 = GND)。如果骨刺的优良性能需要,
内部负电压发生器可
通过施加负电压到Vss禁用
EXT
(引脚16 ) 。
热切换能力
的典型的热交换能力
PE42821是+30 dBm的。热点切换时发生
而射频之间进行切换的RF功率被施加
端口。
T
ST
T
T
J
V
ESD, HBM
V
ESD, MM
V
ESD,清洁发展机制
注:1。人体模型( MIL - STD 883方法3015 )
2.机器模型( JEDEC JESD22- A115 )
3.带电器件模型( JEDEC JESD22- C101 )
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应
仅限于限制在工作范围
表。工作范围的操作
最高和绝对最大的扩展
期间可能会降低可靠性。
静电放电( ESD )注意事项
在处理这个的UltraCMOS
®
设备,观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路,以保护其免受损坏,由于
ESD ,应采取预防措施,以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件,而UltraCMOS
®
设备是免疫的闩锁。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级等级为32
铅5×5毫米QFN封装是MSL3 。
© 2012-2013 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第12页4
文件编号DOC- 13714-3
的UltraCMOS
®
RFIC解决方案