PE42552
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
CTRL
VDD
VSS
LS
表4.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
除了对任何输入电压
CTRL和LS输入
在CTRL输入电压
LS上的输入电压
存储温度范围
输入功率：
9千赫
≤
1兆赫
1兆赫
≤
7.5 GHz的
电压ESD （HBM ）
1
ESD电压（机器型号）
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
4.0
4.0
150
图。 4,5
30
1000
100
单位
V
V
V
V
°C
DBM
DBM
V
V
16
15
14
GND
RF1
GND
GND
13
1
2
3
4
12
11
10
9
GND
RF2
GND
GND
V
CTRL
V
LS
T
ST
P
IN
V
ESD
-65
5
6
7
GND
GND
GND
RFC
8
注： 1。人体模型（ HBM ， MIL_STD 883方法3015.7 ）
表2.引脚说明
PIN号
2
1, 3, 4, 5, 6,
8, 9, 10, 12
7
11
13
14
15
16
引脚名称
RF1
GND
RFC
RF2
V
SS
CTRL
LS
V
DD
RF端口1
地
描述
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应仅限于
在操作的限制范围表。手术
工作范围最大和绝对值之间
最长时间可能会降低可靠性。
射频共
RF端口2
负电源电压或接地
连接（注1 ）
CMOS电平：
逻辑的选择 - 一个用来确定
对于CTRL引脚定义（见
表5）
标称3.3 V电源连接
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™设备，观察
你将与其他使用相同的ESD防范措施
敏感的设备。虽然这个装置包含
电路，以保护其免受损坏，由于ESD ，
应采取预防措施，以避免超过
规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
注意事项： 1.使用VSS （引脚13 ， VSS = -VDD ）绕过和禁用
内部负电压发生器。连接VSS （引脚13）到GND
（VSS = 0V ），以使内部负电压发生器。
表3.工作范围
参数
V
DD
正电源电压
V
SS
负电源电压
（外接电源使用）
V
SS
负电源电压
（内部电源使用）
I
DD
电源电流
(V
SS
= 0V ，温度= 85 ° C）
I
SS
负电源
(V
SS
= -V
DD
，温度= 25℃）
控制电压高
控制电压低
T
OP
工作温度范围
射频功率在
1
(P
IN
):
9千赫
≤
1兆赫
1兆赫
≤
7.5 GHz的
表5.控制逻辑真值表
民
3.0
-3.6
-0.1
典型值
3.3
-3.3
0.0
15
-10
最大
3.6
-3.0
0.0
120
-40
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
°C
DBM
DBM
LS
0
0
1
1
CTRL
0
1
0
1
RFC-RF1
关闭
on
on
关闭
RFC-RF2
on
关闭
关闭
on
逻辑选择（ LS ）
逻辑选择功能可用于确定
定义为CTRL引脚。
0.7xV
DD
0.3xV
DD
-40
25
85
图。 4,5
30
杂散性能
该PE42552的典型杂散性能
-116 dBm的时候VSS = 0V （引脚13 = GND） 。如果进一步
改进是需要的，内部负电压
发电机可通过设置的VSS = -VDD被禁用。
开关频率
该PE42552具有最大25 kHz的开关频率
当内部负电压发生器用于
（引脚13 = GND）。在该PE42552能率
交换仅限于切换时间（表1） ，如果
外部负电源在提供
(pin13=VSS).
文档编号70-0246-03
│
的UltraCMOS RFIC ™解决方案
注意事项： 1，请咨询低频图表3页
推荐的工作功率电平。
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级PE42552中
16引脚3x3mm的QFN封装是MSL1 。
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PSEMI [ Peregrine Semiconductor ]
