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PE42451图片预览
型号: PE42451
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内容描述: SP5T吸收的UltraCMOS高隔离RF开关 [SP5T Absorptive UltraCMOS High-Isolation RF Switch]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 11 页 / 619 K
品牌: PSEMI [ Peregrine Semiconductor ]
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PE42451
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration (顶视图)
VSS
EXT
/
GND
静电放电( ESD )注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™设备,观察
你将与其他使用相同的ESD防范措施
敏感的设备。虽然这个装置包含
电路,以保护其免受损坏,由于ESD ,
应采取预防措施,以避免超过
规定的额定值。
GND
GND
GND
RFC
24
23
22
21
20
19
V3
GND
RF5
GND
GND
RF4
GND
1
2
3
4
5
6
10
11
12
7
8
9
18
17
V2
V1
VDD
GND
RF1
GND
裸露
16
15
14
13
闭锁避免
与传统的CMOS器件,的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
GND
GND
GND
GND
RF3
RF2
湿度敏感度等级
对湿度敏感等级评级PE42451中
24引脚4×4 QFN封装是MSL1 。
描述
表3.引脚说明
针#
1, 3, 4, 6, 7, 9, 10,
12, 13, 15, 21, 23, 24
2
5
8
11
14
16
17
18
19
20
22
注意:
名字
GND
RF5
4
RF4
4
RF3
4
RF2
4
RF1
4
V
DD
V1
V2
RF I / O
RF I / O
RF I / O
RF I / O
RF I / O
供应
开关控制输入端, CMOS逻辑电平
开关控制输入端, CMOS逻辑电平
可选的外部滑模变结构控制(
VSS
EXT
)
对于正确的操作,在VSS
EXT
控制必须是
接地或在指定的Vss的电压
经营范围表(表
2).
当在VSS
EXT
包装上的控制引脚接地开关
场效应管的偏置与内部低杂散负
电压发生器。对于需要的应用
尽可能低的杂散性能时,VSS
EXT
可以
施加到旁路内部负电压
发电机,以消除骨刺。
V3
开关控制输入端, CMOS逻辑电平
VSS
EXT
/
外部Vss的控制/地
GND
5
RFC
4
射频共
GND
理由器件正常工作
开关频率
该PE42451具有最大25 kHz的开关频率
当内部负电压发生器用于
(针20 = GND)。在该PE42451能率
交换仅限于切换时间,如果一个
外部-3 V电源提供(引脚20 = VSS
EXT
).
4.隔直电容仅在需要时非零DC
电压存在。
5.引脚20必须使用内部Vss的电源时,接地
表4.绝对最大额定值
符号
T
ST
P
最大
表5.真值表
单位
°
C
DBM
模式
全部关闭
RF1上
33
RF2上
RF3上
24
DBM
V
V
RF4上
RF5上
全部关闭
不支持
V3
0
0
0
0
1
1
1
1
V2
0
0
1
1
0
0
1
1
V1
0
1
0
1
0
1
0
1
参数/条件
存储温度范围
最大工作电源
( RFX - RFC ,全波段( 50
),
100%占空比)
最大功率为
终止( RFX ,全波段
(50
),100%
占空比)
ESD HBM电压
6
所有的管脚
ESD电压MM
7
所有的管脚
-60
最大
+150
P
最大
V
ESD
V
ESD
注意事项:
3500
150
6.人体模型ESD电压( HBM , MIL_STD 883
方法3015.7 )
7.机器模型ESD电压( JESD22 - A115 -A )
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应仅限于
在操作的限制范围表。
文档编号70-0298-03
www.psemi.com
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