PE42359
产品speci fi cation
性能比较@ 25°C和V
DD
= 3.0V带或不匹配
图20.插入损耗RF1
1
0
‐0.5
图21.插入损耗RF2
1
0
‐0.5
插入损耗（ -dB ）
插入损耗（ -dB ）
‐1
‐1.5
‐2
‐2.5
‐3
‐3.5
‐4
‐4.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
x10
9
频率（Hz）
无需外部匹配
随着电容的RFC线
‐1
‐1.5
‐2
‐2.5
‐3
‐3.5
‐4
‐4.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
x10
9
频率（Hz）
无需外部匹配
随着电容的RFC线
图22.在线端口回波损耗（ RF1活动）
1
0
‐5
图23.在线端口回波损耗（ RF2活动）
1
0
‐5
‐10
‐15
‐20
‐25
‐30
‐35
‐40
无需外部匹配
随着电容的RFC线
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
x10
9
插入损耗（ -dB ）
‐15
‐20
‐25
‐30
‐35
‐40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
x10
9
频率（Hz）
无需外部匹配
随着电容的RFC线
回波损耗（ -dB ）
‐10
频率（Hz）
图24. RFC端口回波损耗（ RF1活动）
1
0
‐5
图25. RFC端口回波损耗（ RF2活动）
1
0
‐5
‐10
‐15
‐20
‐25
‐30
‐35
‐40
4.0
插入损耗（ -dB ）
‐15
‐20
‐25
‐30
‐35
‐40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
频率（Hz）
x10
9
无需外部匹配
随着电容的RFC线
回波损耗（ -dB ）
‐10
无需外部匹配
随着电容的RFC线
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
x10
9
频率（Hz）
注1 ：
高频性能可通过外部匹配得到改善（参见图20至图25和图28）
文件编号DOC- 13241-3
│
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