ECO -PAC
TM
2
HiPerFET
TM
功率MOSFET
在ECO -PAC 2
PSMG 50 / 05 *
（电隔离背面）
单个MOSFET模
X18
我K10
A1
LN9
I
D25
V
DSS
R
DSON
t
rr
= 43 A
= 500 V
= 100 mΩ
Ω
< 250纳秒
初步数据表
K13
K15
* NTC可选
MOSFET
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D90
dv / dt的
E
AS
E
AR
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
V
DS
＆ LT ; V
DSS
; I
F
≤
50A;di
F
/ dt≤ 100A / μs的
T
VJ
= 150°C
I
D
= 10 A; L = 36 mH的;牛逼
C
= 25°C
I
D
= 20 A; L = 5微亨;牛逼
C
= 25°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
500
±20
43
待定
5
3
60
V
V
A
A
V / ns的
J
mJ
特点
•
ECO -PAC 2 DCB基地
- 对电气隔离
散热器
- 低耦合电容的
散热片可降低EMI
- 高功率耗散
- 高温循环能力
在DCB芯片
- 焊引脚DCB安装
•
快速的CoolMOS功率MOSFET
- 2
nd
GENERATION
- 高阻断能力
- 低导通电阻
- 雪崩额定松开
感应开关（ UIS）
- 低热阻
由于减少了芯片的厚度
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
100
2
4
m
Ω
V
R
DSON
V
gsth
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
F
R
thJC
V
GS
= 10 V ;我
D
= I
D90
V
DS
= 20V;我
D
= 8毫安;
V
DS
= V
DSS
; V
GS
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
GS
= ±20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V; V
DS
= 250 V ;我
D
= 50 A
100 µA
2毫安
100
330
55
155
45
60
120
45
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
0.3 K / W
•
增强的总功率密度
•
UL认证，E 148688
应用
•
开关电源
•
•
•
•
（ SMPS）的
不间断电源（ UPS ）
功率因数校正（ PFC ）
焊接
感应加热
V
GS
= 10 V; V
DS
= 380 V;
I
D
= 25 A; ř
G
= 1.8
Ω
（反向传导）I
F
= 20 A; V
GS
= 0 V
每个MOSFET
注意事项：
这些设备是
敏感的静电
放电。用户应观察
正确的ESD处理措施。
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