ECO -PAC
TM
2
功率MOSFET级
PSBM 24/05
对于升压转换器
模块的功率因数校正
初步数据表
V
RSM
V
RRM
TYPE
(V)
(V)
600 500 PSBM 24/05
I
D25
V
DSS
R
DS （ ON）
VX
= 35 A
= 500 V
= 0.12
Ω
K
GH
CM L
MOSFET
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
I
S
I
SM
1
测试条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
T
VJ
= 25° C到150° C，R
GS
= 10
Ω
连续
T
S
= 85 °C
T
S
= 25 °C
T
S
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
VJ
T
S
= 85 °C
V
GS
= 0 V ，T
S
= 25 °C
V
GS
= 0 V ，T
S
= 25 °C
,
脉冲宽度有限的
T
VJ
2
NTC可选
最大额定值
500
500
±20
24
35
95
170
24
95
V
V
V
A
A
A
W
A
A
特点
•
•
•
•
•
•
•
符号
V
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
GINT
g
fs
V
DS
t
D（上）
t
D（关闭）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
R
thJH
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 2毫安
V
DS
= 20 V，I
D
= 20毫安
V
DS
= 20 V，I
D
= 20毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
T
VJ
= 25 °C
T
VJ
= 25 °C
V
DS
= 15 V，I
DS
= 12 A
I
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
特征值
T
VJ
= 25℃，除非另有说明
分钟。
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
典型值。
马克斯。
马克斯。
典型值。
典型值。
典型值。
马克斯。
500
2
5
±500
2
0.12
1.5
30
1.5
100
220
8.5
0.9
0.3
350
0.38
V
V
V
nA
mA
Ω
Ω
S
V
ns
ns
nF
nF
nF
nC
K / W
高集成度 - 只有一个
功率半导体模块所需
对于整个的PFC整流器
隔离电压3600 V
∼
平面玻璃钝化芯片
超快升压二极管
信息适用于印刷电路板
焊接
热敏电阻器（可选）
UL注册，E 148688
应用
•
•
•
}
}
V
DS
= 250 V，I
DS
= 12 A，V
GS
= 10 V
马克斯。
Zgen 。 = 1
Ω,
L-负荷
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0 V
功率因数预调节器为
开关电源， UPS电源，电池充电器和
逆变器
升压拓扑结构的开关电源，包括
1 〜整流桥
电源焊接设备
优势
V
DS
= 250 V ， ID = 12 A，V
GS
= 10 V
典型值。
模块
符号
T
VJ
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
•
•
•
•
•
测试条件
最大额定值
-40...+150
150
-40...+150
°C
°C
°C
V
∼
Nm
g
V
∼
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
高的温度和功率
循环能力
小，重量轻
在一个封装3种功能
50/60赫兹
Iisol
≤
1毫安
典型值。
T = 1分
t=1s
3000
3600
1.5-2.0
24
注意事项：
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户应
遵守适当的ESD处理措施。
根据IEC 60747的数据指的是单个二极管
除非另有说明
安装力矩（M 4 ）
2002年POWERSEM保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司， Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话： 09122 - 9764 - 0传真： 09122 - 9764 - 20
POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
