TOP252-262
条件
源极 = 0 V；TJ = -
40至125 °C
（有另行说明除外）
参数
输出（继上）
导通电阻
符号
最小值
典型值
最大值
单位
Units
TJ = 25 °C
0.90
1.35
1.05
1.55
TOP262
ID = 900 mA
RDS(ON)
Ω
TJ = 100 °C
TJ ≤ 85 °C, See Note E
18
36
漏极供电电压
V
VV, VM = Floating, IC = 4 mA,
VDS = 560 V, TJ = 125 °C
关断状态漏极漏电流
IDSS
470
mA
VV, VM = Floating, IC = 4 mA,
TJ = 25 °C
击穿电压
上升时间
BVDSS
700
V
See Note F
tR
tF
100
50
ns
ns
Measured in a Typical Flyback
Converter Application
下降时间
电源电压特性
TOP252-255
0.6
0.9
1.1
0.8
1.1
1.5
1.2
1.4
1.6
1.3
1.6
2.2
2.0
2.3
2.5
2.2
2.5
2.9
66 kHz
Operation
TOP256-258
TOP259-261
TOP252-255
TOP256-258
TOP259-262
Output
MOSFET
Enabled
VX, VV, VM =
0 V
ICD1
控制电源/ 放电电流
mA
132 kHz
Operation
Output MOSFET Disabled
VX, VV, VM = 0 V
ICD2
0.3
0.6
1.3
注释：
A. 对带有负号的技术指标，负温度系数随温度增加其数值增加，正温度系数随温度增加其数值减少。
B. 由特性保证。生产时未经测试。
C. 外部调节限流点时，请参考典型性能特性一节中的图55a及55b（限流点与外部流限电阻）。所列明的容差仅在工作在最大限
流点处有效。
D. I2f的计算基于ILIMIT 和 fOSC的典型值，即ILIMIT(TYP)2 × fOSC，其中fOSC = 66 kHz or 132 kHz（取决于封装／F引脚连接）。详情请参考
See fOSC规格。
E. TOPSwitch-HX将在18 VDC漏极电压下启动。温度低于0 °C时电解电容的电容值将大幅下降。要想在零度以下18 V时实现可靠
启动，设计者必须确保电路中的电容符合建议的电容值。
F. 可通过抬高漏极引脚电压但不超过最小BVDSS的方式来检查击穿电压。
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