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SP201 参数 Datasheet PDF下载

SP201图片预览
型号: SP201
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内容描述: 硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 38 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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SP201
POUT VS PIN GRAPH
SP201 POUT VS PIN频率= 1000MHz的, VDS = 28V , IDQ = .2A
100
电容VS电压
S2A 1裸片电容
13.50
6
5
12.50
4
11.50
10
西塞
1dB压缩= 4瓦特
3
10.50
科斯
2
9.50
1
收益
效率= 45%
1
8.50
CRSS
0.1
0
5
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
PIN (瓦)
7.50
以伏VDS
15
20
25
30
IV曲线
S2A 1 DIE四
1.6
1.4
1.2
ID为安培
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
VDS
Vg=6v
INVOLTS
vg=8v
14
0
16
18
vg=12v
20
ID & GM VS VGS
10.00
S2A 1 DIE ID & GM VS VG
ID安培;通用汽车在姆欧
Id
1.00
gM
0.10
0
2
4
6
8
VGS的电压
10
12
14
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2001年3月28日
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com