欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

P121 参数 Datasheet PDF下载

P121图片预览
型号: P121
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PATENTED金金属化硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体栅极晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 36 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号P121的Datasheet PDF文件第1页  
P121
POUT VS PIN GRAPH
P121 PIN VS POUT F = 850 MHZ ; IDQ = 0.2A ; VDS = 12.5V
电容VS电压
F2C 1裸片电容
2
1.8
1.6
1.4
POUT (瓦)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.05
0.1
0.15
PIN (瓦)
0.2
0.25
效率= 40%
收益
12.5
12
11.5
11
增益以dB为单位
10.5
10
9.5
9
8.5
8
0.3
100
10
西塞
科斯
CRSS
1
0
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
IV曲线
F2C我死IV曲线
10
ID & GM VS VGS
F2C 1 DIE GM & ID VS VGS
2.5
2
1
Id
1.5
1
0.1
Gm
0.5
0
0
2
4
6
8
以伏VDS
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
10
12
14
16
0.01
0
2
4
6
VGS的电压
8
10
12
14
S11 & S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2000年6月19日
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com