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LX521 参数 Datasheet PDF下载

LX521图片预览
型号: LX521
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 42 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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LX521
POUT VS PIN GRAPH
F大LX 521 Pout- P = 500MH Z, VDS = 12.5V IDQ = .6A
60
50
40
30
11.00
电容VS电压
L 5 Ç 1个D IE
1000
C A P A C IT A N权证
10.00
西塞
100
科斯
9.00
收益
20
8.00
10
0
0
2
4
6
P ,以W为T牛逼S
8
10
10
CRSS
效率@ 45W = 73 %
7.00
1
0
5
10
15
20
V·D S IN V Ø L T S
25
30
IV曲线
L5C 1 DIE
40
35
30
ID为安培
25
20
15
10
5
0
0
2
vg=2v
4
6
8
10
12
14
以伏VDS
Vg=6v
vg=8v
16
18
20
vg=12v
ID & GM VS VGS
100
L5C
1个D IE
ID ,克间νs的V G
lg
Id
10
gM
G
VDS=10V
1
0
2
4
Vg=4v
vg=10v
V G S IN V Ø LTS
6
8
10
12
14
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2003年7月17日
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com