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LR501 参数 Datasheet PDF下载

LR501图片预览
型号: LR501
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号LR501的Datasheet PDF文件第1页  
LR501
POUT VS PIN GRAPH
L R 5 0 1 F = 3 5 0 M·H ž ; V·D S = 2 8 V D C , ID为q = 0 。 8的
电容VS电压
L 5个D IE
17
16
1000
C A P A C IT A N权证
250
200
西塞
100
150
100
50
Ë FFIC I E N c个Ÿ @ 2 0 0 W = 5 0 %
15
14
收益
13
12
11
10
1
0
5
10
科斯
CRSS
0
0
4
8
12
P I N I N W上的TTS
16
20
10
15
20
V·D S IN V Ø L T S
25
30
IV曲线
L5 1 DIE
40
35
30
ID为安培
25
20
15
10
5
0
0
2
vg=2v
vg=10v
4
6
8
10
12
以伏VDS
Vg=4v
vg=12v
14
Vg=6v
Vg=14V
16
18
20
ID & GM VS VGS
100
L5
1个D IE
ID ,克间νs的V G
lg
Id
10
G
1
0
2
4
gM
vg=8v
Vg=16V
V G S IN V Ø LTS
6
8
10
12
14
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2006年2月27日
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sell@polyfet.com网址: www.polyfet.com