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LP821 参数 Datasheet PDF下载

LP821图片预览
型号: LP821
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 38 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号LP821的Datasheet PDF文件第1页  
LP821
POUT VS PIN GRAPH
LP821 VS POUT PIN F = 500MHZ , IDQ = 0.25 , VDS = 12.5V
15
22.00
100
电容VS电压
L2C1DIE电容
20.00
西塞
10
18.00
科斯
效率 - 60 %
16.00
10
CRSS
5
14.00
12.00
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
10.00
1
0
2
4
6
8
10
12
14
PIN (瓦)
收益
以伏VDS
IV曲线
L2C 1 DIE四
9
8
7
6
ID为安培
5
4
3
2
1
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
以伏VDS
Vg=6v
vg=8v
14
vg=10v
16
18
vg=12v
20
0.1
0
2
4
1
10
100
ID & GM VS VGS
L2C 1 DIE
ID ,通用VS VG
ID
GM
VGS的电压
6
8
10
12
14
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2001年4月27日
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com