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LP722 参数 Datasheet PDF下载

LP722图片预览
型号: LP722
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 38 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号LP722的Datasheet PDF文件第1页  
LP722
POUT VS PIN GRAPH
LP722 VS POUT PIN频率= 500MHz的, VDS = 12.5V , IDQ = .4A
45
40
35
13.00
12.50
12.00
1000
电容VS电压
L1C 2DIE电容
科斯
100
30
25
20
15
11.50
11.00
10.50
1dB压缩= 35W
西塞
收益
效率= 57 %
10.00
9.50
9.00
8.50
8.00
10
10
5
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
PIN (瓦)
CRSS
1
0
5
10
15
20
25
30
以伏VDS
IV曲线
L1C 2 DIE四
30
100
ID & GM VS VGS
L1C 2死
ID ,通用VS VG
25
ID
10
20
ID为安培
15
10
1
GM
5
0
0
2
4
6
8
10
12
以伏VDS
Vg=6v
vg=8v
14
16
18
20
0.1
0
2
4
6
8
10
12
14
vg=2v
Vg=4v
vg=10v
vg=12v
VGS的电压
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2001年4月30日
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com