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L8801P 参数 Datasheet PDF下载

L8801P图片预览
型号: L8801P
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 43 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号L8801P的Datasheet PDF文件第1页  
L8801P
POUT VS PIN GRAPH
L8801P VS引脚噘频率= 1000MHz的,
VDS = 28V直流, IDQ = .2A
18
15
100
电容VS电压
L2B 1裸片电容
15
14
西塞
10
12
13
科斯
9
6
3
12
1
收益
效率@ 10瓦特= 40 %
11
10
0.1
0
5
CRSS
0
0
0.5
1
PIN (瓦)
1.5
2
9
10
15
20
25
30
以伏VDS
IV曲线
L2A 1 DICE IV
6
100
ID & GM VS VGS
L2B 1 DIE
ID ,通用VS VG
5
4
ID为安培
10
ID
3
2
1
1
GM
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
以伏VDS
Vg=6v
vg=8v
14
vg=10v
16
18
vg=12v
20
0.1
0
2
4
6
8
10
12
14
VGS的电压
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
12/13/2001
polyfet射频器件
调整
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com