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L8711P 参数 Datasheet PDF下载

L8711P图片预览
型号: L8711P
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 43 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号L8711P的Datasheet PDF文件第1页  
L8711P
POUT VS PIN GRAPH
L8711P VS引脚噘F = 500 MHZ ;
Idq=.4;Vds=7.5Vdc
10
15
1000
电容VS电压
L1C 1DIE电容
8
14
100
6
收益
13
西塞
科斯
12
11
10
4
2
CRSS
10
Efficiency@7W=50%
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
PIN (瓦)
9
1
0
5
10
15
20
25
30
以伏VDS
IV曲线
L1C 1 DIE四
16
14
12
ID为安培
10
8
10
100
ID & GM VS VGS
L1C 1 DIE
ID ,通用VS VG
ID
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
以伏VDS
Vg=6v
vg=8v
14
16
18
20
1
G
M
vg=2v
Vg=4v
vg=10v
vg=12v
0
2
4
6
8
VGS的电压
10
12
14
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
12/12/2001
polyfet射频器件
调整
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com