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F2201S 参数 Datasheet PDF下载

F2201S图片预览
型号: F2201S
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 35 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F2201S
POUT VS PIN GRAPH
电容VS电压
F2C 1裸片电容
100
10
西塞
科斯
CRSS
1
0
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
IV曲线
F2C我死IV曲线
2.5
ID和GM VS VGS
F2C 1 DIE GM & ID VS VGS
10
2
Id
1.5
1
1
0.5
0.1
Gm
0
0
2
4
6
8
以伏VDS
10
12
14
16
0.01
0
2
4
6
VGS的电压
8
10
12
14
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com