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F2013 参数 Datasheet PDF下载

F2013图片预览
型号: F2013
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F2013
POUT VS PIN GRAPH
F2013噘VS引脚F = 1000 MHz的; IDQ = 1.6A ; VDS = 28V
35
30
25
10
20
15
8
10
效率 - 35 %
5
0
0
1
2
3
4
PIN (瓦)
电容VS电压
F2A 4芯电容
12
100
收益
11
西塞
科斯
9
10
CRSS
7
6
5
6
7
8
1
0
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
IV曲线
F2A 4 DIE IV曲线
6
ID和GM VS VGS
F2A 4 DIE GM & ID VS VGS
10
5
Id
4
1
3
Gm
2
0.1
1
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
VGS = 2V
VGS = 4V
VGS = 6V
VGS = 8V
VGS = 10V
12V VGS
12
14
16
18
20
0.01
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
VGS的电压
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com