欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

F1415 参数 Datasheet PDF下载

F1415图片预览
型号: F1415
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 43 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号F1415的Datasheet PDF文件第1页  
F1415
POUT VS PIN GRAPH
F1415 POUT VS引脚F = 150 MHZ ; IDQ = 0.5A ; VDS = 50V
1000
电容VS电压
F1E 6 DICE电容
220
16.00
15.00
西塞
180
14.00
140
13.00
12.00
效率 - 60 %
60
10.00
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
100
科斯
CRSS
100
11.00
9.00
20
收益
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
PIN (瓦)
以伏VDS
IV曲线
˚F E6D IV
1
ICE
30
25
20
15
10
5
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
V SINV L S
D
OT
vg=8v
14
vg=10v
16
18
vg=12v
20
ID和GM VS VGS
F1E 6 DICE ID & GM VS VG
100.00
ID安培;通用汽车在姆欧
ID为安培
10.00
Id
1.00
gM
0.10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg=6v
VGS的电压
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com