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F1280 参数 Datasheet PDF下载

F1280图片预览
型号: F1280
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 43 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F1280
POUT VS PIN GRAPH
F1280 POUT VS引脚F = 175 MHZ ; IDQ = 2.4A ;
VDS=12.5V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
电容VS电压
F1C 6DIE电容
17.00
16.00
15.00
14.00
13.00
1000
科斯
100
西塞
12.00
CRSS
效率= 65 %
11.00
10.00
9.00
8.00
12
收益
10
0
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
PIN (瓦)
IV曲线
F1C 6 DIE IV曲线
60
100
ID和GM VS VGS
F1C 6 DICE ID & GM VS VG
Id
50
40
10
30
20
1
Gm
10
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
0.1
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
VGS的电压
GM
ID
12
14
16
18
20
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com