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F1260 参数 Datasheet PDF下载

F1260图片预览
型号: F1260
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 42 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F1260
POUT VS PIN GRAPH
F1260 POUT VS引脚F = 175 MHZ ; IDQ = 1.6A ;
VDS=12.5V
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
PIN (瓦)
电容VS电压
F1C 4芯电容
16.00
15.00
14.00
13.00
1000
科斯
西塞
100
12.00
效率= 65 %
11.00
10.00
9.00
4
5
6
10
0
5
10
15
以伏VDS
CRSS
7
收益
20
25
30
IV曲线
F1C 4 DIE IV曲线
35
30
ID和GM VS VGS
F1C 4 DIE GM & ID VS VGS
100
Id
25
20
15
10
Gm
10
1
5
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
12
14
16
18
20
0.1
0
2
4
6
VGS的电压
8
10
12
14
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com