欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

F1210 参数 Datasheet PDF下载

F1210图片预览
型号: F1210
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号F1210的Datasheet PDF文件第1页  
F1210
POUT VS PIN GRAPH
F1210 POUT VS PIN
20
18
16
14
12
10
8
6
4
效率= 65 %
2
0
0
1
2
3
PIN (瓦)
收益
电容VS电压
F1C 1DIE电容
16
F = 250 MHZ ; IDQ = 0.4A ; VDS = 12.5V
100
14
收益
12
科斯
西塞
10
10
8
CRSS
6
4
4
5
6
1
0
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
IV曲线
F1C 1DIE IV曲线
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
ID和GM VS VGS
F1C 1DIE GM & ID VS VGS
10
Id
1
Gm
12
14
16
18
20
0.1
0
2
4
6
VGS的电压
8
10
12
14
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com